鼓勵專題研究計畫

執行內容
本研究以以梯度式稀土過渡金屬材料在人工突觸的實現上之研究為主，採用具高自旋霍爾效應之不同重金屬和拓樸絶緣體為SOT電極層，用以降低翻轉所需功耗。採用高垂直異向性(PMA)的稀土過渡金屬材料，探尋合適的SOT-鐵磁性結構與組合，達成低功耗類神經位元結構的目標。研究成果可為磁性記憶體、磁感測器與微型磁電元件等應用提供製程優化依據。

行動目的
以梯度式稀土過渡金屬材料在人工突觸的實現上之研究為主，採用具高自旋霍爾效應之不同重金屬和拓樸樸緣體為SOT電極層，用以降低翻轉所需功耗。研究中將採用高垂直異向性(PMA)的稀土過渡金屬材料，探尋合適的SOT-鐵磁性結構與組合，達成低功耗類神經位元結構的目標。通過使用異常霍爾效應和磁光科爾效應之成像檢測技術，去觀察人工突觸行為的翻轉。探討如何製備與優化稀土-過渡金屬梯度式薄膜結構，以利下世代自旋電子元件之發展。

MOKE翻轉數據

矯頑力分布圖

矯頑力彩色分布圖

平均矯頑力分布

磁性年會發表

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